IGBT Transistörler - Modüller
FP7G75US60
IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- EPM7
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FP7G75US60
FP7G75US60 Hakkında
FP7G75US60, Rochester Electronics tarafından üretilen Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 75A collector akımı ve 600V breakdown voltajı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. EPM7 chassis mount paketi ile endüstriyel ve ticari güç dönüştürme devrelerinde, motor sürücü kontrolü, inverter ve AC/DC güç kaynakları gibi uygulamalarda yer almaktadır. -40°C ile +125°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, 310W maksimum güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 75A akımda 2.8V'dir. Standart input konfigürasyonu ve 4.515nF input kapasitanası ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.515 nF @ 30 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | EPM7 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 310 W |
| Supplier Device Package | EPM7 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok