IGBT Transistörler - Modüller
FP7G50US60
IGBT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- EPM7
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FP7G50US60
FP7G50US60 Hakkında
FP7G50US60, Rochester Electronics tarafından üretilen Half Bridge konfigürasyonlu IGBT modülüdür. 50A maksimum collector akımı ve 600V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. EPM7 paket tipi ile chassis mount montajına sahip olup, -40°C ile 125°C arasında çalışabilmektedir. 250W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç dönüştürücü uygulamalarında kullanılmıştır. 2.8V Vce(on) değeri ile iletim kayıpları minimize edilmektedir. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.92 nF @ 30 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | EPM7 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 W |
| Supplier Device Package | EPM7 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok