IGBT Transistörler - Modüller

FP7G50US60

IGBT MODULE 600V 50A 250W EPM7

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
EPM7
Seri / Aile Numarası
FP7G50US60

FP7G50US60 Hakkında

FP7G50US60, onsemi tarafından üretilen 600V 50A kapasiteli IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, 250W maksimum güç yönetimi için uygundur. EPM7 paket tipinde sunulan modül, şasi monte edilmek üzere tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 2.8V (15V, 50A koşullarında) olup, 600V collector-emitter breakdown gerilimini destekler. -40°C ile 125°C arasında çalışabilme kapasitesine sahip olan bu transistör modülü, endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücüsü tasarımlarında kullanılmaktadır. Standart giriş tipine sahip modül, 2.92 nF input kapasitansı değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün üretimden kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Cutoff (Max) 250 µA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.92 nF @ 30 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case EPM7
Part Status Obsolete
Power - Max 250 W
Supplier Device Package EPM7
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok