IGBT Transistörler - Modüller

FP75R17N3E4BPSA1

IGBT MOD 1700V 125A 555W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FP75R17N3E4

FP75R17N3E4BPSA1 Hakkında

FP75R17N3E4BPSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1700V/125A IGBT transistör modülüdür. Üç fazlı inverter uygulamalarında kullanılan bu modül, Trench Field Stop IGBT teknolojisine dayalıdır. 555W maksimum güç kapasitesi ile endüstriyel sürücü, fotovoltaik inverter, UPS ve elektrik motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. Chassis mount konfigürasyonu ve entegre NTC termistör ile termal yönetim sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen modül, 2.3V düşük iletim gerilimi (Vce(on)) sayesinde enerji tasarrufu sunar. 1700V breakdown voltajı ile yüksek gerilim uygulamalarında güvenilir performans verir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 125 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.8 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 555 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok