IGBT Transistörler - Modüller
FP75R07N2E4BOSA1
IGBT MODULE 650V 95A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FP75R07N2E4BOSA1
FP75R07N2E4BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FP75R07N2E4BOSA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış 650V 95A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak düşük açılış kaybı ve yüksek anahtarlama hızı sağlayan bu modül, endüstriyel sürücü sistemleri, güç dönüştürücüleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 1.95V Vce(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü gerçekleştirir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-40°C ~ 150°C) ve entegre NTC thermistor ile ısıl yönetim özelliklerine sahiptir. Chassis mount tipinde paketlenmemiş olup, standart giriş karakteristiği ile mikro denetleyici ve sinyal işleme devrelerine doğrudan bağlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 95 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.6 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok