IGBT Transistörler - Modüller
FP75R07N2E4B11BOSA1
IGBT MODULE 650V 75A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FP75R07N2E4B11BOSA1
FP75R07N2E4B11BOSA1 Hakkında
FP75R07N2E4B11BOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/75A kapasiteli three phase inverter IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılan bu bileşen, düşük sıcaklık katsayısına sahip 1.95V Vce(on) değeriyle verimli güç dönüştürme işlemlerinde çalışır. -40°C ile 150°C işletme sıcaklığı aralığında kullanıma uygun olup, entegre NTC termistörü sayesinde sıcaklık kontrolü sağlar. Chassis mount konfigürasyonunda sunulan modül, 4.6nF input kapasitansiyle hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Endüstriyel uygulamalarda, güç elektronikleri ve motor sürücü sistemlerinde tercih edilen bir IGBT modülüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 4.6 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok