IGBT Transistörler - Modüller

FP50R12W2T7B11BOMA1

LOW POWER EASY

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FP50R12W2T7B11

FP50R12W2T7B11BOMA1 Hakkında

FP50R12W2T7B11BOMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/50A IGBT transistör modülüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayanan bu komponent, üç faz inverter uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum Vce(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 1.5V olup, düşük kondasyon kayıpları sağlar. NTC termistor ile entegre olması sayesinde termal koruması vardır. -40°C ile +175°C arasında çalışır. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel motor sürücü, kaynak makinaları, UPS sistemleri ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Veri tabanında AG-EASY2B-2 paket standartında sunulmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Cutoff (Max) 8 µA
IGBT Type Trench Field Stop
Input Three Phase Bridge Rectifier
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11.1 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 20 mW
Supplier Device Package AG-EASY2B-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok