IGBT Transistörler - Modüller
FP50R12KT4GBOSA1
IGBT MOD 1200V 50A 280W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FP50R12KT4
FP50R12KT4GBOSA1 Hakkında
FP50R12KT4GBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış 1200V/50A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanarak üretilen bu bileşen, 280W maksimum güç dağıtımına sahiptir. 2.15V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Açık devre durumunda maksimum 1 mA kolektör sızıntı akımına sahiptir. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve NTC termistör entegrasyonu sayesinde sıcaklık koruması sunar. Şasi montaj tipi ile endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde, motor kontrol uygulamalarında ve elektrik sürücülerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.8 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok