IGBT Transistörler - Modüller

FP50R12KE3BOSA1

IGBT MOD 1200V 75A 280W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FP50R12KE3BOSA1

FP50R12KE3BOSA1 Hakkında

FP50R12KE3BOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/75A IGBT transistör modülüdür. NPT tipi IGBT teknolojisine sahip bu bileşen, 280W güç kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 50A akımda 2.15V olan modül, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında anahtarlama fonksiyonu gerçekleştirir. Chassis mount tipi kuruluma sahip olan bileşen, -40°C ile 125°C arasında çalışır. Standard giriş konfigürasyonuna sahip modül, şase tabanlı montajı nedeniyle güç yönetimi uygulamalarında, konverter devrelerinde ve motor sürücü sistemlerinde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single
Current - Collector (Ic) (Max) 75 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
IGBT Type NPT
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.5 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 280 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok