IGBT Transistörler - Modüller
FP50R07N2E4BOSA1
IGBT MODULE 650V 70A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FP50R07N2E4BOSA1
FP50R07N2E4BOSA1 Hakkında
FP50R07N2E4BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V 70A kapasiteli üç fazlı inverter IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu modül, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, motor sürücülerinde ve güç elektronik sistemlerinde kullanılır. 1.95V sabitlenmiş Vce(on) değeri ile düşük açılış kaybı sağlar. -40°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Dahili NTC termistörü ile sıcaklık monitorlaması yapılabilir. Chassis mount yapısı ile endüstriyel uygulamalara entegre edilmeye uygundur. Trench Field Stop teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklıklarda da stabil karakteristik gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.1 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok