IGBT Transistörler - Modüller
FP50R07N2E4B11BOSA1
IGBT MODULE 650V 70A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FP50R07N2E4B11BOSA1
FP50R07N2E4B11BOSA1 Hakkında
FP50R07N2E4B11BOSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen üç fazlı inverter konfigürasyonunda 650V/70A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisine sahip bu modül, Vce(on) değeri 1.95V @ 15V/50A ile verimli çalışma sağlar. Chassis mount tipi yapısı ile endüstriyel uygulamalara entegrasyonu kolaylaştırır. 3.1nF giriş kapasitansı ve dahili NTC thermistor ile termal koruması bulunmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç dönüştürme, motor kontrol ve inverter devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Ürün Digi-Key'de üretilmiş olarak listelenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.1 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok