IGBT Transistörler - Modüller
FP40R12KE3GBOSA1
IGBT MOD 1200V 55A 210W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FP40R12KE3
FP40R12KE3GBOSA1 Hakkında
FP40R12KE3GBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 55A gücünde bir IGBT transistör modülüdür. Üç fazlı inverter konfigürasyonuyla tasarlanan bu komponent, Trench Field Stop teknolojisi kullanarak düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 210W maksimum güç kapasitesine sahip olan modül, -40°C ile 125°C arasında güvenli çalışma alanına sahiptir. Vce(on) değeri 2.3V (15V gerilim, 40A akımda) olarak belirlenmiştir. Chassis mount tipinde monte edilir ve NTC thermistor içerir. Endüstriyel frekans dönüştürücüler, kaynak makineleri ve güç kontrol uygulamalarında kullanılır. Standart giriş kapasitansı 2.5nF'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.5 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 210 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok