IGBT Transistörler - Modüller

FP25R12W2T4BOMA1

IGBT MOD 1200V 39A 175W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FP25R12W2T4

FP25R12W2T4BOMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen FP25R12W2T4BOMA1, üç fazlı invertör uygulamaları için tasarlanmış 1200V IGBT transistör modülüdür. Maksimum 39A collector akımı ve 175W güç derecelendirmesi ile orta güç seviyesindeki elektrik motor sürücüleri, endüstriyel konvertörler ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. NTC thermistor entegrasyonu sayesinde sıcaklık kontrolü sağlar. Chassis mount konfigürasyonu ile panellere doğrudan montajı mümkündür. -40°C ile 150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 39 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.45 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 175 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok