Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

FMMTH10TA

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FMMTH10TA

FMMTH10TA Hakkında

FMMTH10TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 650MHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalara uygun olan bu komponent, 25V maksimum collector-emitter gerilimi ve 25mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 3-5dB típik gürültü figürü ile 500MHz'de iyi RF özellikleri sunan transistör, özellikle RF amplifikasyon, sinyal işleme ve haberleşme devrelerinde kullanılır. Surface mount SOT-23-3 paketlemesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar. 330mW maksimum güç hızlı anahtarlama ve RF modülasyonu gerektiren uygulamalara da uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 25mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition 650MHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 500MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 330mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok