Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
FMMTA56TC
TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FMMTA56TC
FMMTA56TC Hakkında
FMMTA56TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 500mA collector akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 330mW güç kapasite ve 100MHz transition frekansı ile orta frekanslı ve düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. DC current gain (hFE) 100mA collector akımında minimum 50 değerinde belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, ön amplifikatör, anahtarlama devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Vce saturation voltajı 250mV olup, çeşitli analog ve dijital devre konfigürasyonlarında entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 1V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok