Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
FMMT555TA
TRANS PNP 150V 1A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FMMT555TA
FMMT555TA Hakkında
FMMT555TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3/SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 100MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine destek verir. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sinyalleştirme, amplifikasyon ve dijital devrelerdeki anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında geniş işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. 50 minimum hFE (300mA'de) ile güvenilir akım kazancı sağlar ve 300mV doyum voltajı (10mA base, 100mA collector akımında) ile düşük güç kaybı karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 300mA, 10V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok