Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
FMMT417TD
TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FMMT417
FMMT417TD Hakkında
FMMT417TD, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 500mA maksimum kolektor akımı ile çalışabilir. 40MHz transition frequency ve 330mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı olan FMMT417TD, avalanche mode özelliğiyle koruma mekanizması sunmaktadır. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ve kontrollü saturation gerilimi (500mV) sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Genel amaçlı sinyal işleme, küçük güç anahtarlaması ve lojik seviye uyarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 10mA, 10V |
| Frequency - Transition | 40MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Avalanche Mode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok