Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
FMMT413TD
TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FMMT413
FMMT413TD Hakkında
FMMT413TD, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, avalanche mode çalışma kapasitesine sahiptir. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frekansı ile hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilebilir. -55°C ile +150°C geniş işletme sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel uygulamalara uygundur. Düşük 150mV saturasyon voltajı ile enerji verimli tasarımlar sağlar. Radyo frekans amplifikatörleri, sinyal işleme, elektronik anahtarlar ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 10V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 330 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Avalanche Mode |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok