IGBT Transistörler - Modüller
FMG1G200US60L
IGBT, 200A, 600V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FMG1G200US60L
FMG1G200US60L Hakkında
FMG1G200US60L, Rochester Electronics tarafından üretilen tek kanallı N-Channel IGBT transistör modülüdür. 200A kollektör akımı ve 600V maksimum collector-emitter gerilimi ile medium güç uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 200A'de 2.7V olarak belirtilmiştir. 695W maksimum güç dissipasyonu ile kontrollü anahtarlama ve dc-dc dönüştürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, inverter ve kaynak cihazlarında tercih edilir. Chassis mount konfigürasyonu ile DIN raylı panellere entegrasyona uygun olup, -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| Input | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 695 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok