IGBT Transistörler - Modüller
FMG1G200US60H
IGBT, 200A, 600V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FMG1G200US60H
FMG1G200US60H Hakkında
FMG1G200US60H, Rochester Electronics tarafından üretilen 200A kapasiteli, 600V derecelendirilmiş bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) modülüdür. N-channel konfigürasyonlu bu bileşen, single transistör tasarımı ile sunulur ve chassis mount montajına uyumludur. Maksimum 695W güç yönetebilen bu modül, -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 2.7V Vce(on) değeri ile düşük açık-devre kayıpları sunar. Uygulamalar arasında endüstriyel konvertörler, motor kontrol sistemleri, kaynak makinaları ve enerji dönüştürme sistemleri bulunmaktadır. Aktif parça statüsü ile stok mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| Input | Standard |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 695 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok