IGBT Transistörler - Modüller

FMG1G150US60L

IGBT, 150A, 600V, N-CHANNEL

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FMG1G150US60L

FMG1G150US60L Hakkında

FMG1G150US60L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel IGBT transistör modülüdür. 150A collector akımı ve 600V breakdown voltajı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 595W güç dağıtabilir ve Vce(on) değeri 15V gate voltajında 150A akımda 2.7V'dur. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel uygulamalara uygun olup, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, inverter devreleri ve DC/DC dönüştürücüler gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single
Current - Collector (Ic) (Max) 150 A
Current - Collector Cutoff (Max) 250 µA
Input Standard
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 595 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok