Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

FMB100

FMB100 - NPN MULTI-CHIP GENERAL

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
FMB100

FMB100 Hakkında

FMB100, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. Multi-chip yapıya sahip bu genel amaçlı transistör, SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 500mA maksimum collector akımı, 300MHz transition frekansı ve 45V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen FMB100, düşük sinyalli anahtarlama devrelerinde, amplifikatör uygulamalarında ve genel sinyal işleme işlevlerinde tercih edilir. 700mW maksimum güç disipasyonu ile hafif yüke sahip uygulamalarda konumlandırılmıştır. DC current gain değeri 150mA collector akımında minimum 100'dür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 5V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power - Max 700 mW
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok