Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV4110RMTF

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV4110

FJV4110RMTF Hakkında

FJV4110RMTF, onsemi tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, entegre base direnci (10 kOhms) ile birlikte gelir ve düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 200 mW maksimum güç dissipasyonu, 100 mA maksimum kollektör akımı ve 200 MHz transition frequency özellikleriyle, sinyal anahtarlama ve amplifikasyon devrelerine entegre edilebilir. 40 V maksimum Vce breakdown voltajı ile orta gerilim uygulamalarında kullanılabilir. Ön beslemeli tasarımı sayesinde harici base direnci gereksinimi azaltılmış, PCB alanı tasarrufu sağlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok