Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV4109RMTF

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV4109

FJV4109RMTF Hakkında

FJV4109RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli küçük sinyal bipolar transistördür. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200 mW maksimum güç tüketimi, 100 mA maksimum kollektör akımı ve 200 MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 4.7 kΩ entegre baz direnci sayesinde dış baz direnci gerekmeksizin doğrudan sinyal kontrolüne olanak tanır. 40 V collector-emitter gerilim dayanıklılığı ile sinyallerin amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Tipik olarak gürültü azaltma, zayıf sinyal amplifikasyonu ve dijital devre kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. Obsolete durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif transistörler önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok