Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV4105RMTF
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
FJV4105RMTF Hakkında
FJV4105RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP BJT transistörüdür. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 200mW maksimum güç disipasyonuna ve 100mA maksimum kollektör akımına sahiptir. Transistör içerisinde baz direnci (R1: 4.7kΩ) ve emitter-baz direnci (R2: 10kΩ) entegre edilmiştir. 200MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 50V maksimum kollektor-emitter breakdown voltajı ile anahtarlama ve düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Düşük profilli ve kompakt tasarımı nedeniyle tüketici elektroniği, kontrol devreleri ve bilgisayar sistemlerinde yaygın olarak kullanılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok