Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV4104RMTF
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
FJV4104RMTF Hakkında
FJV4104RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 200 mW güç tüketim kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200 MHz transition frequency ve 100 mA maksimum collector akımı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Entegre 47 kΩ base ve emitter-base dirençleri sayesinde dış dirençlendirme gereksinimini azaltır. 50 V collector-emitter bozulma voltajı ve 300 mV satürasyonla, düşük seviye sinyal kontrol, ses amplifikasyonu ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Entegre ön beslemeli (pre-biased) yapısı, basit tasarım ve hızlı kapatma özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok