Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV4103RMTF

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV4103

FJV4103RMTF Hakkında

FJV4103RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 200 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine ve 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ile çalışır. Gömülü base ve emitter dirençleriyle (her biri 22 kΩ) doğrudan mantık seviyesi sürüşü sağlayan ön önyükleme (pre-bias) özelliğine sahiptir. 100 mA maksimum kolektor akımı, 200 MHz geçiş frekansı ve 56 minimum DC akım kazancı ile düşük güçlü anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Kompakt boyutu ve temel devre yapılaşması nedeniyle tüketici elektronikleri, portatif cihazlar ve genel amaçlı kontrol devreleri tasarımlarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok