Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV4102RMTF
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
FJV4102RMTF Hakkında
FJV4102RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 200 mW güç yönetimi kapasitesine ve 200 MHz transition frequency'ye sahiptir. Entegre 10 kΩ base ve emitter-base dirençleri ile hızlı anahtar uygulamaları ve darbe devrelerine uygundur. Maksimum 100 mA kollektör akımı, 50V gerilim dayanımı ve 300mV doyma voltajı ile düşük sinyalli anahtarlama devrelerinde, dijital giriş arabirimleri ve sinyal kondisyonlama uygulamalarında kullanılır. Kompakt boyutu taşınabilir ve hafif ağırlıklı cihazlar için idealdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok