Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV4102RMTF
0.1A, 50V, PNP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FJV4102
FJV4102RMTF Hakkında
FJV4102RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 200mW güç derecelendirmesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, transistöre integre edilmiş taban dirençleri (10kΩ) sayesinde harici dirençlere gerek duymadan doğrudan kullanılabilir. 200MHz transition frequency, lojik devre uygulamaları, sinyal kontrol ve LED sürücülü gibi işaretleme ve küçük güçlü yüklerin kontrolü gerektiren tasarımlar için uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 200 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok