Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV4101RMTF

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV4101

FJV4101RMTF Hakkında

FJV4101RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) PNP transistörüdür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, 200mW güç yeteneği ve 200MHz transition frequency ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum 100mA collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile çalışan FJV4101RMTF, dahili 4.7kOhm base ve emitter-base dirençleriyle ön beslemeli yapılandırma sunmaktadır. Dijital lojik devreleri, ses işleme, anahtarlama ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilen bu transistör, kompakt boyutu sayesinde yoğun entegrasyona olanak tanır. Şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok