Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV4101RMTF

0.1A, 50V, PNP

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV4101RM

FJV4101RMTF Hakkında

FJV4101RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) bipolar junction transistördür. 50V çıkış gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Gömülü 4.7kΩ base ve emitter-base dirençleri ile entegre olarak gelmektedir. 200MHz transition frequency özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Surface mount SO-23 paketinde sunulan bu transistör, sinyal işleme, lojikal anahtarlama ve DC motor sürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. 200mW maksimum güç sınırlaması ve 300mV saturasyon gerilimi ile verimli çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 200 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok