Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV3115RMTF
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
FJV3115RMTF Hakkında
FJV3115RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 200mW güç tüketimine ve 100mA kollektör akımına sahiptir. Transistör dahili olarak 2.2kΩ baz direnci ve 10kΩ emitter-baz direnci içerir. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında minimum 33 değerine ulaşır. Transition frequency 250MHz olan bu komponent, 50V maksimum kollektör-emitter breakdown voltajı ile çalışır. VCE doyum voltajı 300mV @ 500µA, 10mA koşullarında ölçülmüştür. Ön beslemeli yapısı sayesinde external bias dirençlerine ihtiyaç duymadan kullanılabilir ve anahtarlama uygulamalarında, sinyal yükselticilerinde, düşük frekanslı darbe devreleri ve ses frekansı amplifikatörlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok