Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV3115RMTF
0.1A, 50V, NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FJV3115
FJV3115RMTF Hakkında
FJV3115RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) silikon transistördür. 50V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. 200mW güç tüketimine sahiptir. Transistör, entegre baz direnç ağlarına (R1: 2.2kΩ, R2: 10kΩ) sahip olduğundan, harici direnç eklenmeksizin direkt anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 250MHz geçiş frekansı ile düşük-orta frekans sinyali işlemesi ve anahtarlama devrelerinde uygun performans gösterir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey monte paketi ile kompakt devre tasarımlarına olanak tanır. Ses amplifikatörleri, lojik seviyelendirme, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok