Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV3114RMTF

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3114

FJV3114RMTF Hakkında

FJV3114RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli küçük sinyal bipolar transistördür. TO-236-3 / SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100 mA maksimum kolektör akımı ve 250 MHz transition frekansı ile çalışabilir. Dahili 4.7 kOhms baz direnci ve 47 kOhms emitter-baz direnci ile önceden yüklenmiş yapıda tasarlanmıştır. 200 mW güç sınırlaması ve 50V kolektör-emitter kırılma gerilimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Sinyal işleme, kontrol devreleri ve düşük frekanslı RF uygulamalarında tercih edilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde transistöre bağlı devreler basitleştirilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok