Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV3113RMTF

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3113RM

FJV3113RMTF Hakkında

FJV3113RMTF, onsemi tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, maksimum 200mW güç tüketimine sahiptir. Entegre edilen 2.2kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri ile ön beslemeli yapısı sayesinde, harici ek devreler olmadan basit DC amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 100mA maksimum collector akımı, 50V dağılım gerilimi ve 250MHz transition frekansı ile düşük frekanslı sinyal işleme, amplifikasyon ve digitale dönüşüm devrelerinde kullanım alanı vardır. SMD paketlemesi, kompakt PCB tasarımlarına olanak sağlar. Ürün şu anda üretimden kaldırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok