Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV3113RMTF-ON

0.1A, 50V, NPN

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3113

FJV3113RMTF-ON Hakkında

FJV3113RMTF-ON, Rochester Electronics tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistördür. 50V koletör-emiter gerilim, 100mA maksimum koletör akımı ve 200mW güç dissipasyonu kapasitesi ile orta düzey uygulamalara uygun bir bileşendir. 250MHz transition frequency ile AC sinyal işleme uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 2.2kΩ taban ve 47kΩ emiter-taban dirençleri ile ön beslemesi yapılmıştır. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, işaret işleme, anahtarlama devreleri, alçak frekans amplifikatörler ve genel amaçlı dijital uygulamalarda yer alabilir. 68 minimum DC akım kazancı, 5mA koletör akımında ve 5V VCE'de ölçülmüştür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok