Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV3113RMTF

0.1A, 50V, NPN

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3113

FJV3113RMTF Hakkında

FJV3113RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli transistördür. 50V kollektor-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum kollektor akımı ile çalışan bu bileşen, 250MHz geçiş frekansı sunar. İçerisinde 2.2kΩ taban direnci ve 47kΩ emitter-taban direnci bulunmaktadır. 200mW maksimum güç harcaması ile düşük güçlü amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 surface mount paketinde sunulan komponent, tüketici elektroniği, ses sistemleri ve genel amaçlı sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 68 minimum DC akım kazancı (hFE) değeri ile güvenilir çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok