Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV3112RMTF

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3112

FJV3112RMTF Hakkında

FJV3112RMTF, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 200mW güç dağıtımına ve 100mA kolektör akımına kadar dayanıklıdır. 250MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalar için uygundur. İntegre 47kΩ base direnç sayesinde harici bias bileşenleri gerektirmez, böylece PCB tasarımını basitleştirir. Maksimum 40V Collector-Emitter breakdown voltajı ile standart lojik seviyeleri ile uyumludur. Tüketici elektroniği, audio amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Cihazın raf ömrü tamamlanmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok