Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV3111RMTF
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
FJV3111RMTF Hakkında
FJV3111RMTF, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 200mW güç disipasyonu kapasitesine ve maksimum 100mA kolektör akımına sahiptir. 22kΩ entegre baz direnci ile gemi hazır bir anahtarlama çözümü sunar. 250MHz geçiş frekansı, 40V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 100'lük minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük sinyal uygulamalarında, dijital devre kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Doyum gerilimi maksimum 300mV'tur. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici baz direnci gerektirmez ve kompakt tasarımlarda avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok