Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV3110RMTF

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3110

FJV3110RMTF Hakkında

FJV3110RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli NPN transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, düşük gücü gerektiren uygulamalarda anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 200mW maksimum güç derecelendirmesi, 100mA kolektör akımı kapasitesi ve 250MHz transition frekansı ile sinyal işleme, lojik devreler, sensör ön işleme ve düşük frekanslı amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. Entegre 10kΩ baz direnci sayesinde ön yükleme özelliği sağlar. 40V VCEO derecelendirmesi ile orta voltajlı devreler için uygun, 300mV saturasyon gerilimi düşük enerji kaybı ensures.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok