Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV3110RMTF-ON
0.1A, 40V, NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FJV3110
FJV3110RMTF-ON Hakkında
FJV3110RMTF-ON, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. 40V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 200mW güç disipasyonuna sahip bu transistör, entegre base direnci (10kΩ) sayesinde ek bileşen gerektirmeden doğrudan kullanılabilir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount SOT-23-3 paketi ile PCB alanı kısıtlı tasarımlara uygundur. Sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok