Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV3110RMTF
0.1A, 40V, NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FJV3110
FJV3110RMTF Hakkında
FJV3110RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) bir bipolar junction transistördür. Maksimum 0.1A kolektör akımı ve 40V gerilim dayanımı ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. 10kΩ baz direnci ile entegre olmuş direnç yapısı sayesinde, ayrı baz direnci gerektirmeden direkt sürme işlemlerine uygun hale getirilmiştir. 250MHz geçiş frekansı ve 200mW güç dissipasyonu kapasitesi ile sinyal anahtarlama, amplifikasyon ve lojik devre uygulamalarında kullanılabilir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, tüketici elektronikleri, endüstriyel kontrol devreleri ve portable cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok