Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV3109RMTF
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
FJV3109RMTF Hakkında
FJV3109RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 200mW maksimum güç disipasyonu ve 100mA kollektör akımı kapasitesiyle çalışır. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 4.7kΩ taban direnci ön yükleme özelliği sayesinde basit devre tasarımında doğrudan kullanılmaya uygundur. DC akım kazancı (hFE) 1mA, 5V koşullarında en az 100'dür. 40V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güçlü uygulamalarda çalışabilir. Dijital lojik uygulamaları, sürücü devreleri ve küçük sinyal anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. Bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok