Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV3108RMTF
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
FJV3108RMTF Hakkında
FJV3108RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 200mW maksimum güç tüketimine sahiptir. Transistör 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilir ve 250MHz geçiş frekansına (fT) ulaşır. İç yapısında 47kΩ baz direnci (R1) ve 22kΩ emitör-baz direnci (R2) içerir. 50V maksimum kolektör-emitör arızlanma voltajı (BVCE) ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı 5V'de 5mA'de 56'dır. Ön beslemeli tasarımı nedeniyle harici ön beslemeli dirençlere ihtiyaç duymadan çalışabilir. Düşük güç uygulamaları, lojik seviyeleri sürme ve sinyal anahtarlaması gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok