Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV3106RMTF

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3106

FJV3106RMTF Hakkında

FJV3106RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı pakete sahip olan bu bileşen, 200mW güç sınırlaması ile çalışır. Cihazda entegre olarak 10kΩ taban direnci (R1) ve 47kΩ emitter-taban direnci (R2) bulunmaktadır. Maximum 100mA kolektör akımına kapaklı olup, 250MHz transition frekansı ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. 50V maksimum Collector-Emitter breakdown voltajı ve 5mA, 5V koşullarında minimum 68 DC Current Gain (hFE) değerine sahiptir. Ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. Bileşen güncel üretimde olmayıp, stok kontrolü gerekebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok