Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
FJV3105RMTF
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- FJV3105
FJV3105RMTF Hakkında
FJV3105RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN pre-biased bipolar junction transistörleridir (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistörler, maksimum 100mA kollektör akımı ve 250MHz transition frequency ile çalışır. Entegre 4.7kΩ ve 10kΩ base-emitter dirençleri bulunmaktadır. 50V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 200mW maksimum güç ile tasarlanmıştır. Pre-biased yapısı sayesinde hızlı switching uygulamalarında ve sinyal kipleme devrelerinde kullanılır. Analog sinyal işleme, darbe amplifikasyonu ve anahtar devrelerinde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Part Status | Active |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok