Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

FJV3104RMTF

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3104

FJV3104RMTF Hakkında

FJV3104RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre içerisinde 47kΩ base ve 47kΩ emitter-base direnç ağına sahiptir. 200mW maksimum güç dağılımı, 100mA maksimum kollektör akımı ve 250MHz transition frekansı ile düşük seviye sinyal yükseltme uygulamalarında kullanılır. 50V BVCEO diyelectric kuvveti ve 300mV doyum gerilimi ile lojik arayüz, anahtarlama ve sinyal işleme devrelerinde yer alır. Ön beslemeli yapısı sayesinde ayrı bias bileşenleri gerektirmez.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok