Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FJV3103RMTF
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
FJV3103RMTF Hakkında
FJV3103RMTF, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN tipinde bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 200mW güç tüketimi ile entegre ön polarizasyon dirençleri (base ve emitter-base için 22kΩ) içerir. 100mA maksimum kolektör akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V maksimum kolektör-emitter breakdown voltajı ve 5mA, 5V koşullarında 56 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle, düşük sinyal amplifikasyon ve dijital lojik devrelerinde anahtarlama elemanı olarak uygulanabilir. Kütüphaneler, sensör arayüzleri ve impedans eşleştirme gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250 MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok