Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

FJV3103RMTF

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3103

FJV3103RMTF Hakkında

FJV3103RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi ön-önyüklü bipolar transistördür. Entegre olarak 22 kΩ baz ve 22 kΩ emitter-baz dirençlerini içeren bu bileşen, düşük güç uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 100 mA maksimum kollektör akımı, 250 MHz geçiş frekansı ve 50 V VCEO ile sinyal işleme, lojik devre kontrolü ve küçük güç amplifikasyonu uygulamalarına uygundur. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan komponentin maksimum güç kapasitesi 200 mW olup, 56 minimum hFE değeri sabit kazanç özellikleri sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Part Status Active
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok