Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

FJV3102RMTF

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FJV3102

FJV3102RMTF Hakkında

FJV3102RMTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde pre-biased küçük sinyal bipolar transistörüdür. Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu transistör, 10 kΩ baz ve 10 kΩ emitter-baz dahili direnç ağlarına sahiptir. 250 MHz transition frequency ve 100 mA maksimum collector akımı ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50 V breakdown voltajı ve 200 mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü sinyalleme devrelerinde, RF uygulamalarında, ses frekans amplifikatörlerinde ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Part Status Active
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok